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GCIB-10S 離子源系統(tǒng)是一種高性能10千伏氣體團(tuán)簇離子束,用于快速、低損傷濺射和更高質(zhì)量的表面分析。
GCIB 10S提供了大量有用的功能,包括實(shí)時集群大小測量和內(nèi)置樣本電流成像系統(tǒng),以幫助您充分利用實(shí)驗(yàn)。
GCIB-10S 離子源系統(tǒng)具有完整的泵送系統(tǒng)和單獨(dú)軟件,是一種栓接式升級,將集束束濺射的力量引入現(xiàn)有的真空儀器,如XPS、SEM和SIMS。
主要參數(shù):
主要應(yīng)用 | 濺射 |
光斑尺寸 | 250 µm |
掃描范圍 | 7.5 x 7.5 mm |
能耗范圍 | 1 – 10 kV |
電流范圍 | 60 nA |
法蘭至機(jī)頭長度 | 143 mm |
推薦工作距離 | 50 mm |
電源裝置 | 3U x 19’’ rack mountable unit |
電源要求 | 110-240VAC 13A 50/60Hz |
軟件要求 | PC running Windows 10 or later |
集成法蘭規(guī)格 | NW 63 CF |
特點(diǎn):
◇ 10kV氬團(tuán)簇離子源,可選擇Ar1至>Ar3000的團(tuán)簇;
◇ 實(shí)時集群測量和調(diào)整;
◇ 采樣電流成像;
◇ 光斑尺寸大,掃描范圍寬,可均勻去除材料;
◇ 易于安裝在許多高真空儀器上;
◇ 單獨(dú)軟件和基于web套接字的API,用于與第三方軟件集成
應(yīng)用技術(shù):
GCIB 10S可去除不定碳和其他表面污染,而不會損壞基材, 同時還可對有機(jī)物和聚合物等軟材料進(jìn)行無損傷深度剖析。
右圖顯示了分別使用Ar1和Ar2000蝕刻原始PET表面前后的C 1s 峰值。數(shù)據(jù)清楚地顯示了單原子Ar1束(紅色)造成的化學(xué)損傷,而光譜在暴露于Ar2000束(藍(lán)色)后幾乎保持不變
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