?產(chǎn)品介紹

德國(guó)Freiberg Instruments的MDPicts（MDP微波探測(cè)光誘導(dǎo)電流瞬態(tài)譜儀--少子壽命)，非接觸且無(wú)損傷，用于溫度依賴的少數(shù)載流子壽命測(cè)量以及半導(dǎo)體的界面陷阱和體陷阱能級(jí)的電性能表征。MDpicts（MDP微波探測(cè)光誘導(dǎo)電流瞬態(tài)譜儀--少子壽命)將在半導(dǎo)體材料的基礎(chǔ)研究與開(kāi)發(fā)領(lǐng)域取得廣泛的應(yīng)用。

?設(shè)備特點(diǎn)

 --靈敏度：對(duì)半導(dǎo)體材料電學(xué)缺陷有非常高的靈敏度
 --溫度范圍：液氮(77k)至500k。可選:液氦(4k)或更高溫度
 --衰減常數(shù)范圍：20納秒到幾毫秒
 --沾污檢測(cè)：電學(xué)陷阱基本性能確定：激活能和陷阱的俘獲截面，受溫度和注入  水平影響的少子壽命參數(shù)等
 --重復(fù)性：> 99.5%，測(cè)量時(shí)間：< 60分鐘。液氮消耗：2升/次
 --靈活性：從365 nm 到1480nm，根據(jù)不同材料選擇不同波長(zhǎng)激發(fā)光源
 --可訪問(wèn)性：基于IP的系統(tǒng)允許來(lái)自世界任何地方的遠(yuǎn)程操作和技術(shù)支持

圖1. 與溫度有關(guān)的載流子發(fā)射瞬態(tài)

圖2. 不同缺陷的評(píng)價(jià)

從Arrhenius斜率(圖3)可以確定活化能

圖3.Arrhenius曲線圖

利用這種新型MDPpicts設(shè)備，可在20~500k范圍內(nèi)測(cè)量溫度依賴性的瞬態(tài)光電導(dǎo)。

Si, GaAs, InP, SiC和其他很多半導(dǎo)體材料已成功采用了這種方法進(jìn)行研究。  

圖4. 不同溫度的Cz-Si晶圓片的MD-PICTS圖譜