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X射線三維成像系統(tǒng)是實(shí)驗(yàn)室中常用的設(shè)備，主要用于樣品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析。這種設(shè)備在使用過程中，需要注意養(yǎng)護(hù)，以保證其正常工作和使用壽命。以下是一些養(yǎng)護(hù)細(xì)節(jié)：1.清潔：X射線三維成像系統(tǒng)的外部和內(nèi)部都應(yīng)保持清潔。外部可以用軟布擦拭，內(nèi)部則需用專用的清潔劑和工具進(jìn)行清潔。特別注意不要讓灰塵和雜質(zhì)進(jìn)入設(shè)備內(nèi)部，否則可能會影響設(shè)備的性能。2.溫度和濕度：設(shè)備應(yīng)存放在溫度和濕度適宜的環(huán)境中。過高或過低的溫度都可能影響設(shè)備的正常工作，濕度過高可能會導(dǎo)致設(shè)備內(nèi)部的電路短路。3.電源：設(shè)備的電源...

衍射圖，討論二對于非缺面孿晶導(dǎo)致|Fo|不對的問題，如果我們養(yǎng)成了良好的習(xí)慣：對于所有的晶體都應(yīng)在RLATT里檢查倒易點(diǎn)陣的排列，那么我們就會馬上去發(fā)現(xiàn)晶體的問題。然而除了非缺面孿晶，晶體的問題還包括很多，比如超晶格，調(diào)制結(jié)構(gòu)（周期或者非周期的衛(wèi)星衍射點(diǎn)），彌散的衍射信號等。但是單晶衍射數(shù)據(jù)處理的過程中，通常是基于定出的晶胞對有限的數(shù)據(jù)進(jìn)行還原，而不是所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)，所以很多被排除在外的信號其實(shí)表示了晶體內(nèi)含的一些結(jié)構(gòu)性質(zhì)。而這些在hkl文件并不會體現(xiàn)出來。從某種意義上說，單晶...

衍射圖，討論一關(guān)于很多同學(xué)眼中的“鬼峰”，我們看過了“答案”起源于基本的數(shù)據(jù)處理（數(shù)據(jù)還原和數(shù)據(jù)校正）對|Fo|的影響。很多時候在遇到偏大的Q峰的時候，不管是一些審稿人還是學(xué)生，都會馬上去想到“吸收校正”（不知道這個想法起源于何處），然后很多同學(xué)會莫名地把90%的原因歸結(jié)于此。甚至在沒有看過數(shù)據(jù)的情況下，立刻的回答就是去做吸收校正。然而對于常見的莫名其妙的鬼峰的原因，比如晶體和測試的問題，卻常常被忽略。這里面的原因有很多，我相信大多數(shù)同學(xué)拿到手的數(shù)據(jù)都只是hkl，而不是衍射圖...

引言寬帶隙鈣鈦礦（1.68eV）是兩端鈣鈦礦/硅疊層太陽電池的重要前電池吸光材料。然而，這類寬帶隙鈣鈦礦太陽電池中存在大量缺陷誘導(dǎo)的非輻射電荷復(fù)合，導(dǎo)致器件開路電壓（VOC）遠(yuǎn)低于理論值，嚴(yán)重限制了器件效率的進(jìn)一步提升。深能級受體缺陷是影響VOC的主要因素，缺陷鈍化是提供器件效率的有效策略。TOF-SIMS應(yīng)用成果近日，陜西師范大學(xué)方志敏&馮江山&劉生忠團(tuán)隊(duì)通過采用氟化物輔助表面梯度鈍化的策略獲得了光電轉(zhuǎn)換效率（PCE）高達(dá)21.63%，VOC達(dá)1.239V（VOC損失低至4...

回顧2022年，ULVAC-PHI各個系列的XPS儀器——VersaProbe、Quantera和Quantes對科研發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步做出了重要貢獻(xiàn)。據(jù)統(tǒng)計(jì)，借助PHIXPS設(shè)備，2022年已發(fā)表超過4400篇的學(xué)術(shù)出版物，包括期刊文章和書籍等。其中，有99項(xiàng)工作發(fā)表在《Nature》和《Science》等高影響力期刊上。例如，我們的用戶利用PHIVersaProbe設(shè)備對嵌入磁性CoNi合金顆粒的摻氮碳纖維復(fù)合材料表面進(jìn)行了表征，研究發(fā)現(xiàn)該材料表現(xiàn)出優(yōu)異的電磁波吸收性能。該項(xiàng)...

引言光伏發(fā)電新能源技術(shù)對于實(shí)現(xiàn)碳中和目標(biāo)具有重要意義。近年來，基于有機(jī)-無機(jī)雜化鈣鈦礦的光電太陽能電池器件取得了飛速的發(fā)展，目前報(bào)道的光電轉(zhuǎn)化效率已接近26%。鹵化物鈣鈦礦材料具有無限的組分調(diào)整空間，因此表現(xiàn)出優(yōu)異的可調(diào)控的光電性質(zhì)。然而，由于多組分的引入，鈣鈦礦材料生長過程中會出現(xiàn)多相競爭問題，導(dǎo)致薄膜初始組分分布不均一，這嚴(yán)重降低了器件效率和壽命。圖1.鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)TOF-SIMS應(yīng)用成果由于目前用于高性能太陽能電池的混合鹵化物過氧化物中的陽離子和陰離子的混合物經(jīng)常發(fā)生...

XPS的探測深度在10nm以內(nèi)，然而對于實(shí)際的器件，研究對象往往會超過10nm的信息深度，特別是在一些電氣設(shè)備中，有源層總是被掩埋在較厚的電極之下。因此，利用XPS分析此類樣品，需要結(jié)合離子刻蝕技術(shù)。顯然，離子刻蝕存在擇優(yōu)濺射效應(yīng)，特別是對于金屬氧化物，會破壞樣品原始的化學(xué)態(tài)，導(dǎo)致只憑常規(guī)XPS無法直接對埋層區(qū)域進(jìn)行無損深度分析。好在研究表明增加X射線的光子能量可以增加探測深度。對此，ULVAC-PHI推出了實(shí)驗(yàn)室HAXPES設(shè)備，且可同時配備微聚焦單色化AlKα(1486....

XRR是什么?XRR是一種方便、快速的分析單層或多層薄膜和表面的方法，是一種納米尺度上的分析方法，同時可實(shí)現(xiàn)無損分析。例如，通過原子層沉積(ALD)技術(shù)沉積的薄膜可以用XRR表征薄膜的厚度、密度和界面的粗糙度，同樣也適用于其他方法制備的薄膜，如通過分子層沉積(MLD)沉積的有機(jī)/無機(jī)超晶格。與光學(xué)橢偏法不同，該方法不需要預(yù)先了解薄膜的光學(xué)性質(zhì)，也不需要假設(shè)薄膜的光學(xué)性質(zhì)。然而，XRR不能提供有關(guān)材料晶體結(jié)構(gòu)的信息，并且多層膜只能在有限的深度內(nèi)表征。XRR簡單原理介紹XRR分析...